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  • 微納電路反應(yīng)離子蝕機(jī)RIE100 產(chǎn)品型號(hào):RIE100
    微納電路反應(yīng)離子蝕機(jī)
詳細(xì)內(nèi)容

基本參數(shù)

1,、刻蝕尺寸:4吋及以下,;

2、刻蝕材料:?jiǎn)尉Ч?、多晶硅?/span>SiO2,、Si3N4,、GaNGaAs等,;

3,、刻蝕速率:0.2~0.9μm/min

4,、刻蝕距離調(diào)節(jié):10mm~ 60mm,;

5、操作方式:半自動(dòng)控制方式,;

6,、系統(tǒng)總控:人機(jī)界面及控制程序;

7,、電源:220VAC/50Hz,,9KW

8,、機(jī)器重量:600kg,;

9、機(jī)器尺寸:  D810mm× W1520mm×H1550mm,。

 

電源及刻蝕反應(yīng)室

1,、電源:13.56MHz0.5KW,;

2,、反應(yīng)室:?jiǎn)问遥仙w啟閉,,操作方便,;

3、反應(yīng)室規(guī)格:Φ300110mm,;

4,、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,去濕后),;

5,、抽氣時(shí)間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時(shí)暴露,,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時(shí)間≤ 30min

 

真空測(cè)量系統(tǒng)及氣體配置

1,、真空計(jì):數(shù)顯復(fù)合真空計(jì) 1套,,測(cè)量低真空和高真空;

2,、供氣接口:N2,、O2 CF4,、CHF3,、SF6以及壓縮空氣,進(jìn)氣壓力 0.40.6Mpa,,工藝氣體純度為:99.999

 

冷卻系統(tǒng)

1,、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng);

2,、保護(hù)系統(tǒng):對(duì)泵,、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。

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