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微納電路離子刻系統(tǒng)IBE150
產(chǎn)品型號:IBE150
微納電路離子刻系統(tǒng)
- 詳細內(nèi)容
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基本參數(shù)
1,、刻蝕尺寸:6吋及以下,;
2,、刻蝕材料:單晶硅,、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al、W,、Mo和金屬氧化物薄膜等;
3,、離子束入射角:0~90°之間任意調(diào)整,;
4、Ar+離子能量范圍:100~1000eV,,連續(xù)可調(diào),;
5、離子束流密度:0~1.0mA/cm2,,連續(xù)可調(diào)
6,、有效離子束直徑:≥Φ150mm;
7,、刻蝕速率:0.02~1.0μm/min,;
8、中和裝置:帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置,;
9,、操作方式:工藝過程全自動控制;
10,、系統(tǒng)總控:人機界面及觸摸屏控制程序,;
11,、電 源:220VAC/50Hz,,10KW;
12,、機器重量:700kg,;
13、機器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm,。
電源及刻蝕反應(yīng)室
1,、電源:直流電源。
2,、反應(yīng)室:上蓋啟閉,,操作方便,單室,;
3,、反應(yīng)室規(guī)格:Φ400′300mm;
4,、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,,去濕后),;
5、抽氣時間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露,,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min,。
真空測量系統(tǒng)及氣體配置
1、真空計:數(shù)顯復(fù)合真空計 1套,,測量低真空和高真空,;
2、供氣:Ar氣體,,進氣壓力0.4~0.6Mpa,,工藝氣體純度為:99.999﹪。
冷卻系統(tǒng)
1,、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng),;
2、保護系統(tǒng):對泵,、電極等缺水等異常情況進行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護,。
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