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微納電路離子刻機IBE100
產(chǎn)品型號:IBE100
微納電路離子刻機
- 詳細內(nèi)容
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基本參數(shù)
1,、刻蝕尺寸:4吋及以下,;
2、刻蝕材料:單晶硅,、多晶硅,、SiO2,、Si3N4、Al,、W,、Mo和金屬氧化物薄膜等;
3,、離子束入射角:0~90°之間任意調(diào)整,;
4、Ar+離子能量范圍:150~950eV,,連續(xù)可調(diào),;
5、離子束流密度:0.1~0.9mA/cm2,,連續(xù)可調(diào)
6,、有效離子束直徑:≥Φ100mm;
7,、刻蝕速率:0.05~0.8μm/min,;
8、中和裝置:帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置;
9,、操作方式:半自動控制方式,;
10、系統(tǒng)總控:人機界面及控制程序,;
11,、電源:220VAC/50Hz,9KW,;
12,、機器重量:700kg;
13,、機器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm,。
電源及刻蝕反應(yīng)室
1、電源:直流電源,。
2,、反應(yīng)室:上蓋啟閉,操作方便,,單室,;
3、反應(yīng)室規(guī)格:Φ400′300mm,;
4,、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,去濕后),;
5,、抽氣時間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min,。
真空測量系統(tǒng)及氣體配置
1,、真空計:數(shù)顯復(fù)合真空計 1套,測量低真空和高真空,;
2,、供氣:Ar氣體,進氣壓力0.4~0.6Mpa,,工藝氣體純度為:99.999﹪,。
冷卻系統(tǒng)
1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng),;
2,、保護系統(tǒng):對泵、電極等缺水等異常情況進行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護,。