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基本參數(shù)

1,、淀積尺寸：8吋及以下,；

2,、淀積材料：SiO2,、Si3N4、非晶硅,、碳化硅等,；

3、加熱溫度：≤300℃,；

4,、淀積速率：200～300 A°/min；

5,、淀積不均勻度：≤±2%,；

6、操作方式：自動控制方式,；

7,、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；

8,、電源：220VAC/50Hz，10KW,；

9,、機器重量：800kg；

10、機器尺寸: D810mm× W1820mm×H1850mm,。

電源及沉積室

1,、射頻電源：13.56MHz，功率1.0KW,；

2,、沉積室規(guī)格：雙室，Φ400x150mm,，不銹鋼材質(zhì),，開門結(jié)構(gòu)；

3,、真空度：經(jīng)烘烤除氣后≥3.0×10-5 Pa,；

4、抽氣時間：大氣壓 ~ 5*10-4 Pa≤35min,。

測量系統(tǒng)

1,、真空計：數(shù)顯復合真空計1套，測量低真空和高真空,；

2,、帶四路質(zhì)量/流量控制器。

冷卻系統(tǒng)

1,、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)：水冷機設有水流報警系統(tǒng),；

2、保護系統(tǒng)：對水壓低等情況進行報警并執(zhí)行相應保護,。