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基本參數(shù)

1,、淀積尺寸：6吋及以下,；

2、淀積材料：SiO2,、Si3N4,、非晶硅,、碳化硅等；

3,、加熱溫度：≤300℃,；

4、淀積速率：200～300 A°/min,；

5,、淀積不均勻度：≤±5%；

6,、操作方式：半自動控制方式,；

7、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；

8,、電源：220VAC/50Hz,，9KW；

9,、機器重量：400kg,；

10、機器尺寸：D810mm× W1220mm×H1830mm,。

電源及沉積室

1,、射頻電源：13.56MHz，功率1.0KW,；

2、沉積室規(guī)格：單室,，Φ400x150mm,，不銹鋼材質(zhì)，開門結(jié)構(gòu),；

3,、真空度：經(jīng)烘烤除氣后≥3.0×10-5 Pa；

4,、抽氣時間：大氣壓 ~ 5*10-4 Pa≤35min,。

測量系統(tǒng)

1、真空計：數(shù)顯復合真空計1套,，測量低真空和高真空,；

2、帶四路質(zhì)量/流量控制器,。

冷卻系統(tǒng)

1,、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)：水冷機設(shè)有水流報警系統(tǒng)；

2,、保護系統(tǒng)：對水壓低等情況進行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護,。